范围。因此，工程师可以根据感测距离和所用磁铁，做出最佳选择。当电压高于或低于供电电压时，漏极开路

　　AH371xQ系列中的锁存器具有8kV模型(HBM)静电放电(ESD)额定值。这些器件整合的保护功能包括反向阻断二极管、过流保护和过压钳位。

　　Diodes公司全新符合汽车规格的霍尔效应锁存器符合AEC-Q100 Grade 0等级规范，由IATF 16949认证的设施制造，并支持PPAP文件。AH371xQ系列采用SOT23 (S型)、SC59和SIP-3 (散装)封装，其中AH3712Q也采用U-DFN2020-6 (SWP)封装。上述型号及霍尔效应传感器完整产品组合都可在霍尔效应传感器器件选择工具页面中查询。